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PBRN123YS	文件：741.87 Kbytes Page：17 Pages	Marking：N123YS；Package：SC-43A；NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kW, R2 = 10 kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN123YT	文件：741.87 Kbytes Page：17 Pages	NPN800mA,40VBISSRETs;R1=2.2kW,R2=10kW Features 800mAoutputcurrentcapability HighcurrentgainhFE Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Lowcollector-emittersaturationvoltage VCEsat Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN123YT	文件：271.83 Kbytes Page：12 Pages	40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123YT 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturation	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRN123YT-Q	文件：273.29 Kbytes Page：13 Pages	40V,600mANPNPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription NPNlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBRP123YT-Q 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRP123ET	文件：267.54 Kbytes Page：12 Pages	40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ 1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123ET 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturation	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRP123ET-Q	文件：269.09 Kbytes Page：13 Pages	40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ 1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123ET-Q 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturati	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRP123YT	文件：269.66 Kbytes Page：12 Pages	40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123YT 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturation	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBRP123YT-Q	文件：271.79 Kbytes Page：13 Pages	40V,600mAPNPPBRET;R1=2.2kΩ,R2=10kΩ 1.Generaldescription PNPlowVCEsatPerformance-Based(PB)Resistor-EquippedTransistor(RET)inasmall SOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBRN123YT-Q 2.Featuresandbenefits •600mAoutputcurrentcapability •Lowcollector-emittersaturatio	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PC123	文件：714.78 Kbytes Page：15 Pages	DEVICESPECIFICATIONFORPHOTOCOUPLER ■Description PC123SeriescontainsanIREDopticallycoupledtoaphototransistor. Itispackagedina4-pinDIP,availableinwide-leadspacingoptionandSMTgullwinglead-formoption. Input-outputisolationvoltage(rms)is5.0kV. CTRis50to400atinputcurrentof5mA. ■Features 1.4-	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
PC123	文件：79.24 Kbytes Page：4 Pages	EuropeanSafetyStandardApprovedTypeLongCreepageDistancePhotocoupler ■Description PC123SeriescontainsanIREDopticallycoupledtoaphototransistor. Itispackagedina4-pinDIP,availableinwide-leadspacingoptionandSMTgullwinglead-formoption. Input-outputisolationvoltage(rms)is5.0kV. CTRis50to400atinputcurrentof5mA. ■Features 1.4-	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP

详细参数

型号：
PBRN123YS
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS RETS
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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