PBR941分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBR941 |
| 参数属性 | PBR941 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST |
| 功能描述 | RF Manual 16th edition |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
9.37507 Mbytes |
| 页面数量 |
130 页 |
| 生产厂商 | 恩XP |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-17 19:09:00 |
| 人工找货 | PBR941价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBR941规格书详情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
产品属性
- 产品编号：
PBR941
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
- 频率 - 跃迁：
9GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz
- 增益：
16dB
- 功率 - 最大值：
360mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 5mA，6V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT-23 |
880000 |
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