PBR941分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBR941 |
参数属性 | PBR941 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST |
功能描述 | RF Manual 16th edition |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
9.37507 Mbytes |
页面数量 |
130 页 |
生产厂商 | 恩XP |
原厂标识 | 恩XP |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-1 12:28:00 |
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PBR941规格书详情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
产品属性
- 产品编号:
PBR941
- 制造商:
ETC
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
10V
- 频率 - 跃迁:
9GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz
- 增益:
16dB
- 功率 - 最大值:
360mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 5mA,6V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
50mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
TO-236AB
- 描述:
RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
恩XP |
1942+ |
SOT-23 |
9852 |
只做原装正品现货或订货!假一赔十! |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-23 |
5070 |
全新原装,价格优势,原厂原包 |
询价 | ||
恩XP |
2511 |
N/A |
6000 |
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恩XP |
22+ |
SOT-23 |
20 |
只做原装正品 |
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恩XP |
24+ |
TO-236AB-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT23 |
300000 |
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询价 | ||
PHI |
NA |
8560 |
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恩XP |
24+ |
TO-236AB-3 |
6000 |
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PHI |
05+ |
原厂原装 |
48051 |
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