PBHV9115Z中文资料150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBHV9115Z |
| 参数属性 | PBHV9115Z 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 150V 1A SOT223 |
| 功能描述 | 150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 23:01:00 |
| 人工找货 | PBHV9115Z价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBHV9115Z规格书详情
描述 Description
PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBHV8115Z.
特性 Features
• High voltage
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• LED driver for LED chain module
• LCD backlighting
• High Intensity Discharge (HID) front lighting
• Automotive motor management
• Hook switch for wired telecom
• Switch mode power supply
技术参数
- 制造商编号
：PBHV9115Z
- 生产厂家
：Nexperia
- Package version
：SOT223
- Package name
：SC-73
- Size (mm)
：6.5 x 3.5 x 1.65
- Product status
：Production
- Polarity
：PNP
- P_tot [max] (mW)
：700
- V_CEO [max] (V)
：-150
- I_C [max] (A)
：-1
- V_CEsat [max] (mV)
：-300
- h_FE [min]
：100
- f_T [typ] (MHz)
：115
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
330 |
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询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT223 |
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恩XP |
16++ |
SOT223 |
2033 |
询价 | |||
恩XP |
22+ |
SOT223 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT223 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-223 |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-223 |
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恩XP |
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