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PBHV9115T中文资料150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor数据手册恩XP规格书

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厂商型号

PBHV9115T

参数属性

PBHV9115T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 150V 1A TO236AB

功能描述

150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-12-13 8:10:00

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技术参数

  • 产品编号:

    PBHV9115TLHR

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 100mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 50mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    55MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PNP 150V 1A TO236AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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