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PBHV9115T-Q	文件：271.62 Kbytes Page：12 Pages	丝印：W7；Package：SOT23；150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat transistor 1. General description PNP high-voltage low VCEsat transistor in a SOT23 (TO-263AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBHV8115T-Q. 2. Features and benefits • High voltage • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability 文件：271.62 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBHV9115T-QR	文件：895.97 Kbytes Page：12 Pages	150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat transistor 1. General description PNP high-voltage low VCEsat transistor in a SOT23 (TO-263AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBHV8115T 2. Features and benefits • High voltage • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability IC 文件：895.97 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBHV9115T-QR	文件：239.61 Kbytes Page：13 Pages	150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 1.1 General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBHV8115T. 1.2 Features n High voltage n Low collector-emitter saturation voltage VCEsat n High collec 文件：239.61 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBHV9115T-QVL	文件：239.61 Kbytes Page：13 Pages	150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 1.1 General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBHV8115T. 1.2 Features n High voltage n Low collector-emitter saturation voltage VCEsat n High collec 文件：239.61 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBHV9115T-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat transistor PNP high-voltage low VCEsat transistor in a SOT23 (TO-263AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBHV8115T-Q. • High voltage\n• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability IC and ICM\n• High collector current gain (hFE) at high IC\n• Small SMD plastic package\n• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SOT23
Size (mm)：
2.9 x 1.3 x 1
Product status：
Production
Polarity：
PNP
Ptot [max] (mW)：
300
VCEO [max] (V)：
-150
IC [max] (A)：
-1
VCEsat [max] (mV)：
-300
hFE [min]：
100
fT [typ] (MHz)：
115

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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