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PBHV9110DW_R2_00001	文件：408.12 Kbytes Page：6 Pages	PNP Low Vce(sat) Transistor Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.35V(max)@Ic/Ib=-500mA/-50mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard NPNcomplement:PBHV8110DW	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PBHV9110DW_R2_00001	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 1A SOT223	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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功能描述

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PBHV9110DW_R2_00001

文件：408.12 Kbytes

Page：6 Pages

PNP Low Vce(sat) Transistor

Features SiliconPNPepitaxialtype LowVce(sat)-0.35V(max)@Ic/Ib=-500mA/-50mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard NPNcomplement:PBHV8110DW

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT

PBHV9110DW_R2_00001

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 1A SOT223

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT

产品属性

产品编号：
PBHV9110DW_R2_00001
制造商：
Panjit International Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
140 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223
描述：
TRANS PNP 100V 1A SOT223

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	PBHV9110DW_R2_00001	Panjit International Inc.	24+	TO-261-4,TO-261AA	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
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更多PBHV9110DW_R2_00001供应商更新时间2024-6-21 15:00:00

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