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PBHV8550X	文件：243.17 Kbytes Page：11 Pages	丝印：C8；Package：SOT89；500 V, 150 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 1. General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT89 (SC-62) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High voltage • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collect 文件：243.17 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBHV8550X	文件：249.46 Kbytes Page：11 Pages	丝印：C8；Package：SOT89；500 V, 150 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 1. General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT89 (SC-62) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High voltage • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collect 文件：249.46 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBHV8550X_V01	文件：249.46 Kbytes Page：11 Pages	500 V, 150 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 1. General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT89 (SC-62) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High voltage • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collect 文件：249.46 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBHV8550X	文件：300 bytes Page：1 Pages	500 V, 150 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT89 (SC-62) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. • High voltage\n• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability IC and ICM\n• High collector current gain (hFE) at high IC\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PBHV8550XF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 500V 0.15A SOT89	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.

技术参数

Package name：
SOT89
Size (mm)：
4.5 x 2.5 x 1.5
Product status：
Production
Polarity：
NPN
Ptot [max] (mW)：
520
VCEO [max] (V)：
500
IC [max] (A)：
0.15
VCEsat [max] (mV)：
90
hFE [min]：
50
fT [typ] (MHz)：
35

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	PBHV8550X	NEXPERIA/安世	25+	SOT-89	20300	NEXPERIA/安世原装特价PBHV8550X即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多PBHV8550X供应商更新时间2026-2-3 18:18:00

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