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PBHV8110DW-AU_R2_000A1	文件：387.78 Kbytes Page：6 Pages	NPN Low Vce(sat) Transistor Features SiliconNPNepitaxialtype LowVce(sat)0.35V(max)@Ic/Ib=500mA/50mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics AEC-Q101qualified LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard PNPcomple	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
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PBHV8110DW-AU_R2_000A1

文件：387.78 Kbytes

Page：6 Pages

NPN Low Vce(sat) Transistor

Features SiliconNPNepitaxialtype LowVce(sat)0.35V(max)@Ic/Ib=500mA/50mA Highcollectorcurrentcapability ExcellentDCcurrentgaincharacteristics AEC-Q101qualified LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard PNPcomple

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT

PBHV8110DW-AU_R2_000A1

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 1A SOT223

PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT

产品属性

产品编号：
PBHV8110DW-AU_R2_000A1
制造商：
Panjit International Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
450mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
140 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223
描述：
TRANS NPN 100V 1A SOT223

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