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QFBR-T521Z	文件：96.69 Kbytes Page：4 Pages	Changetoimprovedmoldcompound	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
RB521D	文件：147.94 Kbytes Page：3 Pages	100mASurfaceMountSmallSignalDiodes	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
RB521G	文件：148.04 Kbytes Page：3 Pages	100mASurfaceMountSmallSignalDiodes	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
RB521G	文件：171.97 Kbytes Page：7 Pages	100mASurfaceMountSmallSignalSchottkyDiode-30V	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
RB521S	文件：130.169 Kbytes Page：3 Pages	SILICONEXPITAXIALSCHOTTKYBARRIERDIODE Features UltraSmallMoldType,LowForwardVoltage,HighReliability	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
SCS521DS	文件：256 Kbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarSchottkyBarrierRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SCS521DS	文件：129.83 Kbytes Page：2 Pages	0.1A,30VSiliconEpitaxialPlanarSchottkyBarrierRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SCS521DS	文件：250.24 Kbytes Page：2 Pages	SiliconEpitaxialPlanarSchottkyBarrierRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SCS521DZ	文件：230.29 Kbytes Page：2 Pages	0.1A,30VSurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SCS521G	文件：411.14 Kbytes Page：3 Pages	100mASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers-30V	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS

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技术参数

Package：
PDFN 2x2
Configuration：
Single
Type：
P
ESD Diode：
No
Schottky Diode：
No
VDS (V)：
-20
VGS (±V)：
10
ID (A)：
-8
RDS(ON)mΩmax at 10V：
/
RDS(ON)mΩmax at 4.5V：
21
RDS(ON)mΩmax at 2.5V：
28
RDS(ON)mΩmax at 1.8V：
40
VGS(th) max：
-0.85
Typical Ciss(pF)：
1727
Typical Coss(pF)：
179
Typical Crss(pF)：
155
Typical Qg(nC)：
21
Typical Qgd(nC)：
4.9

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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