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PMEG3020EGW-Q	文件：219.06 Kbytes Page：10 Pages	30V,2AlowVFSchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotectionencapsulatedin smallSOD123Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Forwardcurrent:IF≤2A •Reversevoltage:VR≤30V •Lowforwardvoltagety	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG3020EH	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PMEG3020EH	文件：114.63 Kbytes Page：9 Pages	30V,2AultralowVFMEGASchottkybarrierrectifiers	ETC	ETC
PMEG3020EH	文件：58.95 Kbytes Page：9 Pages	30V,2AultralowVFMEGASchottkybarrierrectifiers	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PMEG3020EH	文件：685.11 Kbytes Page：9 Pages	30V,2AultralowVFMEGASchottkybarrierrectifiers Features Forwardcurrent:2A Reversevoltage:30V Ultralowforwardvoltage SmallandflatleadSMDpackage	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG3020EH-Q	文件：185.55 Kbytes Page：9 Pages	30V,2AultralowVFSchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin asmallSOD123FSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Forwardcurrent:2A •Reversevoltage:30V •Ultralowforwardvoltage •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PMEG3020EJ	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
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PMEG3020EJ	文件：873.06 Kbytes Page：3 Pages	Schottkybarrierdiode Features Generalrectification LowVE;LowIr Highreliability	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

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技术参数

构造类型：
压电式
工作电压：
2V~5V
频率：
3.5kHz
声压(SPL)：
90dB
工作温度：
-20℃~+80℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
万三科技(深圳)有限公司	PB-3020-1	SOBERTON	22+	NA	500000	万三科技,秉承原装,购芯无忧	询价
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更多PB-3020供应商更新时间2025-7-29 15:01:00

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