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RF2312	文件：274.51 Kbytes Page：16 Pages	LINEARGENERALPURPOSEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2312isageneralpurpose,lowcosthighlinearityRFamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasaneasilycascadable75Ωgainblock.Thegainflatnessof	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF2312	文件：306.26 Kbytes Page：16 Pages	LINEARGENERALPURPOSEAMPLIFIER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF2312	文件：856.25 Kbytes Page：13 Pages	LinearGeneralPurposeAmplifier	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
RF2312PCBA	文件：306.26 Kbytes Page：16 Pages	LINEARGENERALPURPOSEAMPLIFIER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF2312PCBA	文件：274.51 Kbytes Page：16 Pages	LINEARGENERALPURPOSEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2312isageneralpurpose,lowcosthighlinearityRFamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasaneasilycascadable75Ωgainblock.Thegainflatnessof	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF2312PCK	文件：856.25 Kbytes Page：13 Pages	LinearGeneralPurposeAmplifier	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
RF2312SQ	文件：856.25 Kbytes Page：13 Pages	LinearGeneralPurposeAmplifier	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
RF2312SR	文件：856.25 Kbytes Page：13 Pages	LinearGeneralPurposeAmplifier	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
RM2312	文件：166.6 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RN2312	文件：163.41 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuit ●Withbuilt-inbiasresistors. ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocessandminiaturizeequipment. ●Variousresistancevaluesareavailabletosuitvariouscircuitdesigns. ●Complement	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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详细参数

型号：
PB-2312
制造商：
SOBERTON
制造商全称：
SOBERTON
功能描述：
Non-Washable Type

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PB-2312供应商更新时间2025-7-25 10:20:00

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