RN2312分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RN2312 |
| 参数属性 | RN2312 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM |
| 功能描述 | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) |
| 封装外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 文件大小 |
163.41 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
| 企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
| 中文名称 | 株式会社东芝官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-22 11:06:00 |
| 人工找货 | RN2312价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RN2312规格书详情
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit
● With built-in bias resistors.
● Simplify circuit design
● Reduce a quantity of parts and manufacturing process and miniaturize equipment.
● Various resistance values are available to suit various circuit designs.
● Complementary to RN1312 to RN1313
产品属性
- 产品编号：
RN2312(TE85L,F)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 1mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 250µA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-70，SOT-323
- 供应商器件封装：
SC-70
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
60000 |
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询价 | |||
TOSHIBA |
1923+ |
SOT-323 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOT-323 |
360000 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2406+ |
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TOSHIBA/东芝 |
20+ |
SOT323 |
32970 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-323 |
9100 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
TOSHIBA |
2025+ |
12420 |
询价 | ||||
TOSHIBA |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT-23 |
10000 |
全新原装现货库存 |
询价 |
