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PINA350CDSIDDFR	文件：3.45533 Mbytes Page：45 Pages	INA350CostandSizeOptimized,LowPower,1.8-Vto5.5-VSelectableGainInstrumentationAmplifier 1Features •Idealforsize,cost,andpowerconsciousdesigns •Selectablegainoptions –G=10orG=20(INA350ABS) –G=30orG=50(INA350CDS) •Spacesavingultra-smallpackageoptions –10-pinX2QFN(RUG)–3mm2 –8-pinWSON(DSG)–4mm2 –8-pinSOT23-THN(DDF)–4.64mm2 •Op	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PINA350CDSIDSGR	文件：3.94772 Mbytes Page：45 Pages	INA350CostandSizeOptimized,LowPower,1.8-Vto5.5-VSelectableGainInstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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PLED350S	文件：509.58 Kbytes Page：4 Pages	PLEDUltraLowHoldingCurrentSeries Description ThisPLEDultra-lowholdingcurrentseriesexhibitsa lowholdingcurrentparameterthatmakesitcompatible withLEDlightingstrings.Theseriesprovideaswitching electroniccharacteristicsforanfluorescenttube replacementbyanLEDstring.Ithelpstomakethe Fluorescent	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
PMXB350UPE	文件：241.47 Kbytes Page：15 Pages	20V,P-channelTrenchMOSFET Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits •TrenchMOSFETtechnology •LeadlessultrasmallandultrathinSMDpl	ETC	ETC
PMXB350UPE	文件：727.27 Kbytes Page：15 Pages	20V,P-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •TrenchMOSFETtechnology •Leadlessultrasmallandultrathi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMZ350UPE	文件：701.81 Kbytes Page：14 Pages	20V,P-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMZ350XN	文件：91.23 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET	ETC	ETC
PMZ350XN	文件：206.18 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusing TrenchMOStechnology. 1.2Features 1.3Applications nProfile55lowerthanSOT23nFootprint90smallerthanSOT23 nLowon-stateresistancenLowthresholdvoltage nLeadlesspack	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMZB350UPE	文件：197.65 Kbytes Page：14 Pages	20V,singleP-channelTrenchMOSFET	ETC	ETC

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