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SI2312DS	文件：1.69412 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI2312DS-HF	文件：1.68959 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SK2312AA	文件：1.1341 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
SM2312NSA	文件：1.026339 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SM2312NSA	文件：262.91 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM2312NSAC-TRG	文件：262.91 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SMS2312	文件：263.41 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SPLA2312B	文件：976.56 Kbytes Page：2 Pages	Pushbuttonswitch,sideactuation,illumination	APEX-ELECTRONICS Apex Electronics Co., Ltd	APEX-ELECTRONICS
SPNA2312B	文件：976.56 Kbytes Page：2 Pages	Pushbuttonswitch,sideactuation,illumination	APEX-ELECTRONICS Apex Electronics Co., Ltd	APEX-ELECTRONICS
SSF2312	文件：307.54 Kbytes Page：4 Pages	20VN-ChannelMOSFET DESCRIPTION TheSSF2312usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GENERALFEATURES ●VDS=20V,ID=4.5A RDS(ON)	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark

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产品属性

产品编号：
PAM2312AABADJ-DB
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
集成电路（IC） > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
供应商器件封装：
TSOT-25
描述：
IC REG TSOT25

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深圳市毅创弘电子科技有限公司	PAM2312AABADJ-DB	DiodesIncorporated	24+	TSOT-25	66800	原厂授权一级代理,专注汽车、医疗、工业、新能源！	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	PAM2312AABADJ-DB	Diodes Incorporated	24+	TSOT-25	65200	一级代理/放心采购	询价
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万三科技(深圳)有限公司	PAM2312AABADJ-DB	美台	22+	NA	500000	万三科技,秉承原装,购芯无忧	询价
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更多PAM2312AABADJ-DB供应商更新时间2025-7-28 9:30:00

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