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RLTCM-2307D	文件：311.53 Kbytes Page：3 Pages	MidinfraredEmittingLaserDiode	ROCHESTERRochester Electronics 罗切斯特罗切斯特电子公司	ROCHESTER
RLTCM-2307D	文件：311.53 Kbytes Page：3 Pages	midinfraredemittinglaserdiode	ROITHNER Roithner LaserTechnik GmbH	ROITHNER
RN2307	文件：171.89 Kbytes Page：6 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications Withbuilt-inbiasresistors Simplifycircuitdesign Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ComplementarytoRN1307~RN1309	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RSZ-2307	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
RSZ-2307HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
S2307	文件：596.87 Kbytes Page：1 Pages	Attractivestyling	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
SF2307D	文件：125.96 Kbytes Page：4 Pages	353.5MHzSAWFilter	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
SI2307	文件：404.54 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
SI2307A	文件：1.73274 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS (V) =-30V ID =-3.0A(VGS=-10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
SI2307A	文件：1.57048 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS(V)=-30V ID=-3.0A(VGS=-10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

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产品属性

产品编号：
PAM2307BECADJR
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
集成电路（IC） > 稳压器 - DC-DC 开关稳压器
包装：
卷带（TR）
功能：
降压
输出配置：
正
拓扑：
降压
输出类型：
可调式
输出数：
1
电压 - 输入（最小值）：
2.7V
电压 - 输入（最大值）：
5.5V
电压 - 输出（最小值/固定）：
0.6V
电压 - 输出（最大值）：
5.5V
电流 - 输出：
3A
频率 - 开关：
1.5MHz
同步整流器：
是
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SO-EP
描述：
IC REG BUCK ADJUSTABLE 3A 8SO

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