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P9006EVG

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS= - 60V, ID= -12A RDS(ON)

文件:1.57448 Mbytes 页数:5 Pages

Bychip

百域芯

P9006EVG

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.06445 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P9006EVG

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:494.9 Kbytes 页数:5 Pages

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

P9006EVG-TP

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

‘GENERAL FEATURES * Vos=-60V b =-4A + Roson

文件:1.90286 Mbytes 页数:5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

P9006EVG

MOSFETs

Unikc

旭康微

P9006EVG

Power MOSFET

NIKO-SEM

尼克森

P9006EVG-TP

场效应管(MOSFET)

Techpublic

台舟电子

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Type:

    P

  • Vds(±V):

    60

  • Vgs(±V):

    20

  • RDS(on)(mΩmax)at VGS=10V:

    90

  • RDS(on)(mΩmax)at VGS=4.5V:

    150

  • VGS(th)(max V):

    2.5

  • Ciss(pF):

    760

  • Crss(pF):

    40

  • Qg(nC):

    15

  • Qgd(nC):

    3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOP-8
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更多P9006EVG供应商 更新时间2025-12-4 18:08:00