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P9006EVG

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS=-60V,ID=-12A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

P9006EVG

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

P9006EVG

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

P9006EVG

MOSFETs;

UnikcWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

P9006EVG

Power MOSFET;

NIKO-SEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.

尼克森尼克森微電子股份有限公司

P9006EVG-TP

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

‘GENERALFEATURES *Vos=-60Vb=-4A +Roson

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

P9006EVG-TP

场效应管(MOSFET);

TechpublicTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Type:

    P

  • Vds(±V):

    60

  • Vgs(±V):

    20

  • RDS(on)(mΩmax)at VGS=10V:

    90

  • RDS(on)(mΩmax)at VGS=4.5V:

    150

  • VGS(th)(max V):

    2.5

  • Ciss(pF):

    760

  • Crss(pF):

    40

  • Qg(nC):

    15

  • Qgd(nC):

    3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多P9006EVG供应商 更新时间2025-7-29 16:33:00