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P8B30HP2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.52Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

P8B30HP2

Power MOSFET

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

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更多P8B30HP2供应商 更新时间2025-7-25 15:07:00