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P82F7R5SN

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=82A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.8mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

文件:313.12 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

P82F7R5SN

Power MOSFET

文件:1.0579 Mbytes 页数:4 Pages

SHINDENGEN

P82F7R5SN

Power MOSFETs THD

•Isolated Package\n•10V Gate Drive\n•Low Capacitance;

Shindengen

新电元

P8344AH

INTEL(英特尔)

上传:深圳市盈慧通电子有限公司

INTEL(英特尔)

P87C51FC-4A

PLCC

PHI

技术参数

  • VDSS (V):

    75

  • VGSS (V):

    ±20

  • ID (A):

    82

  • RDS(on) (typ) (Ω):

    3.0m

  • PT (W):

    58

  • Tch (℃):

    150

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PHI
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SSOP
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更多P82F7R5SN供应商 更新时间2026-1-25 11:10:00