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P80FH5ENK

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 80A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.8mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

文件:316.95 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

P80FH5ENK

Power MOSFET

文件:456.57 Kbytes 页数:4 Pages

SHINDENGEN

P80FH5ENK

Power MOSFETs SMD

•SMD\n•10V Gate Drive\n•Low Capacitance;

Shindengen

新电元

P822601

P822601

P8274

INTEL(英特尔)

上传:深圳市盈慧通电子有限公司

INTEL(英特尔)

技术参数

  • VDSS (V):

    50

  • VGSS (V):

    ±20

  • ID (A):

    80

  • RDS(on) (typ) (Ω):

    3.0m

  • PT (W):

    128

  • Tch (℃):

    150

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更多P80FH5ENK供应商 更新时间2026-1-30 16:01:00