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P8010BD	文件：310.67 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：310.67 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
P8010BD	文件：464.32 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：464.32 Kbytes 页数：5 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P8010BD	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Unikc 旭康微	Unikc
P8010BD	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	NIKO-SEM 尼克森	NIKO-SEM

技术参数

Package：
TO-252
Configuration：
Single
Type：
N
ESD Diode：
No
Schottky Diode：
No
VDS (V)：
100
VGS (±V)：
20
ID (A)：
15
RDS(ON)mΩmax at 10V：
85
RDS(ON)mΩmax at 4.5V：
95
RDS(ON)mΩmax at 2.5V：
/
RDS(ON)mΩmax at 1.8V：
/
VGS(th) max：
2.3
Typical Ciss(pF)：
527
Typical Coss(pF)：
68
Typical Crss(pF)：
37
Typical Qg(nC)：
18.5
Typical Qgd(nC)：
5.1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多P8010BD供应商更新时间2026-10-23 17:01:00

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