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P6B52HP2	文件：353.3 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=525V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=525V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

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