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P60B6EN中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

P60B6EN
厂商型号

P60B6EN

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

353.33 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 20:00:00

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P60B6EN规格书详情

FEATURES

·Drain Current –ID=60A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS= 60V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 8.0mΩ(Max)@VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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