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P6006HV	文件：1.10413 Mbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features VDS= 60V, ID= 5 A RDS(ON) 文件：1.10413 Mbytes 页数：5 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
P6006HV	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	NIKO-SEM 尼克森	NIKO-SEM
P6006HV(EOL)	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Unikc 旭康微	Unikc
S6006L	文件：1.60012 Mbytes Page：12 Pages	SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE Features ● Electrically Isolated Packages ● High Voltage Capability - 30 - 600 Volts ● High Surge Capability - up to 950 Amps ● Glass Passivated Chip 文件：1.60012 Mbytes 页数：12 Pages	TECCOR	TECCOR
STTA6006P	文件：82.14 Kbytes Page：9 Pages	TURBOSWITCH ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE DESCRIPTION The TURBOSWITCH is a very high performance series of ultra-fast high voltage power diodes from 600V to 1200V. TURBOSWITCH family, drastically cuts losses in both the diode and the associated switching IGBT or MOSFET in all ”freewheel mode” operations and is particularly suitable and 文件：82.14 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STTA6006PI	文件：82.14 Kbytes Page：9 Pages	TURBOSWITCH ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE DESCRIPTION The TURBOSWITCH is a very high performance series of ultra-fast high voltage power diodes from 600V to 1200V. TURBOSWITCH family, drastically cuts losses in both the diode and the associated switching IGBT or MOSFET in all ”freewheel mode” operations and is particularly suitable and 文件：82.14 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Configuration：
Dual
Type：
N
Vds(±V)：
60
Vgs(±V)：
20
RDS(on)(mΩmax)at VGS=10V：
60
RDS(on)(mΩmax)at VGS=4.5V：
84
VGS(th)(max V)：
2.5
Ciss(pF)：
560
Crss(pF)：
43
Qg(nC)：
12
Qgd(nC)：
3.6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多P6006HV供应商更新时间2026-4-19 14:14:00

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