丝印：P6；Package：SOT-23；P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = -20V ● ID = -4.4 A ● RDS(ON)

文件：1.66443 Mbytes 页数：5 Pages

KEXIN

科信电子

丝印：P6；Package：SOT-23；P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = -20V ● ID = -4.4 A ● RDS(ON)

文件：1.92259 Mbytes 页数：5 Pages

KEXIN

科信电子

丝印：P6；Package：TESQ；Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages

TOSHIBA

东芝

丝印：P6；Package：USQ；Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages

TOSHIBA

东芝

丝印：P6；Package：SOT-23；P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = -20V ● ID = -4.4 A ● RDS(ON)

文件：1.66443 Mbytes 页数：5 Pages

KEXIN

科信电子

丝印：P6；Package：SOT-23；P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = -20V ● ID = -4.4 A ● RDS(ON)

文件：1.92259 Mbytes 页数：5 Pages

KEXIN

科信电子

丝印：P6；Package：DSBGA；TPS7A14 1-A, Low VIN, Low VOUT, Ultra-Low Dropout Regulator

1 Features • Ultra-low input voltage range: 0.7 V to 2.2 V • High efficiency: – Dropout voltage at 1 A: 70 mV (max, YBK) – Specified for VIN = VOUT +100 mV • Excellent load transient response: – 20 mV for ILOAD = 3 mA to 600 mA in 20 μs • Accuracy over load, line, and temperature: 1 • High

文件：3.92588 Mbytes 页数：38 Pages

TI

德州仪器

丝印：P6；Package：SC-74；Dual buffer gate

文件：789.28 Kbytes 页数：15 Pages

NEXPERIA

安世

丝印：P6；Package：SC-88；Dual buffer gate

文件：789.28 Kbytes 页数：15 Pages

NEXPERIA

安世

丝印：P6；Package：SOT-23-5；150mA High Voltage Low Dropout Linear Regulator

文件：435.34 Kbytes 页数：9 Pages

FITIPOWER

天钰科技