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丝印：P6***；Package：SOT-23；P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg tested • Typical ESD performance 2000 V • Built in ESD protection with Zener Diode • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Load switch for portable devices 文件：131.86 Kbytes 页数：7 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
丝印：P6***；Package：SOT-23；P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：235.01 Kbytes 页数：10 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY |
详细参数
- 型号：
P6***
- 功能描述：
MOSFET 20V 4.4A P-CH MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2026-1-20 9:00:00
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