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BCP55-10T

丝印:P5510T;Package:SOT223;60 V, 1 A NPN medium power transistors

Features and benefits • High collector current capability IC and ICM • Three current gain selections • High power dissipation capability • AEC-Q101 qualified

文件:274.26 Kbytes 页数:14 Pages

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安世安世半导体(中国)有限公司

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更多P5510T供应商 更新时间2025-9-8 10:03:00