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P4200SB	文件：3.39657 Mbytes Page：6 Pages	丝印：P42B；Package：DO-214AA；Thyristor Surge Suppressors (TSS) FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
P4200SB-2L	文件：2.73024 Mbytes Page：6 Pages	丝印：P42B-2；Package：SMB-3L；Thyristor Surge Suppressors (TSS) FeaturesandBenefits Excellentcapabilityofabsorbingtransientsurge Quickresponsetosurgevoltage(nsLevel) Eliminatesovervoltagecausedbyfastrisingtransients Moisturesensitivitylevel:Level1 Weight69mg(approximate) Nondegenerative ResponseTimeis	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
P4200SB-2L	文件：300 bytes Page：1 Pages	过压保护元件;	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
P4200SC	文件：1.02197 Mbytes Page：5 Pages	Bi-directionalcrowbartransientvoltageprotection	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
P4200SC	文件：3.40002 Mbytes Page：6 Pages	ThyristorSurgeSuppressors(TSS) FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
P4200TA	文件：1.32738 Mbytes Page：5 Pages	SMAPlastic-EncapsulateDiodes	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI

技术参数

VDRM @Idrm=5µA Vmin：
380
VS @100V/µS Vmax：
460
VT @IT=2.2A Vmax：
4
IS Max (mA)：
800
IT Max (A)：
2.2
IH Min (mA)：
5
Cj @1MHz (pF)：
60
Protectable Lines：
2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
易创佳业科技（深圳）有限公司	P4200SB	SEMIWARE赛米微尔	23+	SMB	22820	原装正品，支持实单	询价
深圳市力拓辉电子有限公司	P4200SB	硕凯电子	21+	SMB	250	全新原装鄙视假货	询价
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深圳中芯器材有限公司	P4200SB	YFW(佑风微)	23+	SMB	2980	三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块	询价
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更多P4200SB供应商更新时间2025-6-24 13:14:00

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