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P4200DM	文件：2.90116 Mbytes Page：6 Pages	Marking：42M；Package：SOD-123FL；Thyristor Surge Suppressors (TSS) FeaturesandBenefits Excellentcapabilityofabsorbingtransientsurge Quickresponsetosurgevoltage(nsLevel) Eliminatesovervoltagecausedbyfastrisingtransients Moisturesensitivitylevel:Level1 Weight69mg(approximate) Nondegenerative ResponseTimeis	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
P4200EA	文件：2.82579 Mbytes Page：6 Pages	ThyristorSurgeSuppressors(TSS) FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
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P4200LA	文件：3.73964 Mbytes Page：6 Pages	ThyristorSurgeSuppressors(TSS) FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
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P4200LC	文件：3.74287 Mbytes Page：6 Pages	ThyristorSurgeSuppressors(TSS) FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
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P4200SC	文件：1.02197 Mbytes Page：5 Pages	Bi-directionalcrowbartransientvoltageprotection	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

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