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P3F60HP2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.3Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

文件:313.55 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

P3F60HP2

Power MOSFET

文件:184.42 Kbytes 页数:4 Pages

SHINDENGEN

P3F60HP2

Power MOSFETs THD

•High Voltage\n•Low Ron\n•High Speed Switching\n•High Avalanche Durability, High di/dt Durability;

Shindengen

新电元

技术参数

  • VDSS (V):

    600

  • VGSS (V):

    ±30

  • ID (A):

    3

  • RDS(on) (typ) (Ω):

    1.92

  • PT (W):

    53

  • Tch (℃):

    150

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更多P3F60HP2供应商 更新时间2025-10-8 14:02:00