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P3B28HP2	文件：353.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 280V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.0Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv 文件：353.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
P3B28HP2	文件：180.01 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 文件：180.01 Kbytes 页数：4 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
P3B28HP2	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs　SMD •SMD\n•Low Noise\n•Low Capacitance\n•High Avalanche Durability, High di/dt Durability;	Shindengen 新电元	Shindengen

技术参数

VDSS (V)：
280
VGSS (V)：
±30
ID (A)：
3
RDS(on) (typ) (Ω)：
1.7
PT (W)：
35
Tch (℃)：
150

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更多P3B28HP2供应商更新时间2025-10-10 14:02:00

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