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P3B28HP2	文件：353.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=280V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=280V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

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更多P3B28HP2供应商更新时间2025-5-28 14:02:00

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