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P3606BD

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:301.16 Kbytes 页数:4 Pages

NIKOSEM

尼克森

P3606BD

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:487.22 Kbytes 页数:5 Pages

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

P3606BD

MOSFETs

Unikc

旭康微

P3606BD

Power MOSFET

NIKO-SEM

尼克森

技术参数

  • Package:

    TO-252

  • Configuration:

    Single

  • Type:

    N

  • ESD Diode:

    No

  • Schottky Diode:

    No

  • VDS (V):

    60

  • VGS (±V):

    20

  • ID (A):

    22

  • RDS(ON)mΩmax at 10V:

    36

  • RDS(ON)mΩmax at 4.5V:

    47

  • RDS(ON)mΩmax at 2.5V:

    /

  • RDS(ON)mΩmax at 1.8V:

    /

  • VGS(th) max:

    2.3

  • Typical Ciss(pF):

    545

  • Typical Coss(pF):

    74

  • Typical Crss(pF):

    44

  • Typical Qg(nC):

    13.8

  • Typical Qgd(nC):

    4.9

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多P3606BD供应商 更新时间2025-12-23 9:04:00