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P30B10EL

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 30mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

文件:353.5 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

P30B10EL

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

文件:862.08 Kbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

P30B10EL

Power MOSFET

文件:169.85 Kbytes 页数:4 Pages

SHINDENGEN

P30B10EL

Power MOSFETs SMD

•SMD\n•4.5V Gate Drive\n•Low Capacitance;

Shindengen

新电元

技术参数

  • VDSS (V):

    100

  • VGSS (V):

    ±20

  • ID (A):

    30

  • RDS(on) (typ) (Ω):

    24m

  • PT (W):

    44

  • Tch (℃):

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SHINDENGEN/新电元
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TO-252
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P30B1-BNG8T
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更多P30B10EL供应商 更新时间2025-10-8 14:02:00