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P25Q40SU-SSH-IW-X	文件：2.94607 Mbytes Page：100 Pages	Ultra Low Power, 4M-bit 2Description TheP25Q40SUisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q40SU-SSH-IY-X	文件：2.94607 Mbytes Page：100 Pages	Ultra Low Power, 4M-bit 2Description TheP25Q40SUisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q40SU-SUH-IR-X	文件：2.94607 Mbytes Page：100 Pages	Ultra Low Power, 4M-bit 2Description TheP25Q40SUisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q40SU-SUH-IT-X	文件：2.94607 Mbytes Page：100 Pages	Ultra Low Power, 4M-bit 2Description TheP25Q40SUisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhigh-volumeconsumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedorexternalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,withi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
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技术参数

Max CLK：
104MHz
Vcc：
1.65V～3.6V
Temp：
-40℃~105℃
IO Bus：
Single/Dual/Quad
ESD：
4kv
Cycle：
100k
Retention：
20Y
Package：
USON8(3*2*0.55)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市高捷芯城科技有限公司	P25Q40U-TSH-IR	PUYA(普冉)	24+	TSSOP8	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
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