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P2103Z	文件：1.87705 Mbytes Page：212 Pages	solidstatecrowbardevices ProductDescription SIDACtorcomponentsaresolidstatecrowbardevicesdesignedtoprotecttelecomequipmentduringhazardoustransientconditions.Capitalizingonthelatestinthyristoradvancements,TeccormakesSIDACtordeviceswithapatentedionimplanttechnology.Thistechnologyensures	Teccor Teccor Electronics	Teccor
PCF2103	文件：300.08 Kbytes Page：56 Pages	LCDcontrollers/drivers GENERALDESCRIPTION ThePCF2103familyisalowpowerCMOSLCDcontrolleranddriver,designedtodriveadotmatrixLCDdisplayof2lineby12or1lineby24characterswith5×8dotformat.Allnecessaryfunctionsforthedisplayareprovidedinasinglechip,includingon-chipgenerationof	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PCF2103EU	文件：300.08 Kbytes Page：56 Pages	LCDcontrollers/drivers GENERALDESCRIPTION ThePCF2103familyisalowpowerCMOSLCDcontrolleranddriver,designedtodriveadotmatrixLCDdisplayof2lineby12or1lineby24characterswith5×8dotformat.Allnecessaryfunctionsforthedisplayareprovidedinasinglechip,includingon-chipgenerationof	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
RF2103P	文件：215.87 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUMPOWERLINEARAMPLIFIER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF2103P	文件：191.86 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUMPOWERLINEARAMPLIFIER ProductDescription TheRF2103PisamediumpowerlinearamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasthefinallinearRFamplifierinUHFradiotransmittersoperatingbetween450MHzand	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF2103PPCBA	文件：191.86 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUMPOWERLINEARAMPLIFIER ProductDescription TheRF2103PisamediumpowerlinearamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasthefinallinearRFamplifierinUHFradiotransmittersoperatingbetween450MHzand	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RN2103	文件：572.07 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess)Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2103	文件：256.73 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit AndDriverCircuitApplications Built-inbiasresistors Simplifiedcircuitdesign Fewerpartsandsimplifiedmanufacturingprocess ComplementarytoRN1101~RN1106	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2103	文件：559.29 Kbytes Page：8 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit AndDriverCircuitApplications Built-inbiasresistors Simplifiedcircuitdesign Fewerpartsandsimplifiedmanufacturingprocess ComplementarytoRN1101~RN1106	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2103ACT	文件：196.37 Kbytes Page：8 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications •Extrasmallpackage(CST3)isapplicableforextrahighdensityfabrication. •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount.Reducingthepartscountenablethemanufactureofevermor	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
P2103NV
功能描述：
N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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