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P20B12SL	文件：352.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 120V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 44mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：352.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
P20B12SL	文件：1.45755 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFETs120V, 20A, N-channel 文件：1.45755 Mbytes 页数：7 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
P20B12SN	文件：352.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 120V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 42mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：352.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
P20B12SN	文件：790.62 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 文件：790.62 Kbytes 页数：4 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
SKKT20B12E	文件：910.39 Kbytes Page：4 Pages	Thyristor Modules 文件：910.39 Kbytes 页数：4 Pages	Semikron 赛米控丹佛斯	Semikron

更多P20B12SL供应商更新时间2025-10-8 11:10:00