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P2000DL45X168数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

P2000DL45X168

参数属性

P2000DL45X168 封装/外壳为TO-200AF;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:PRESS PACK IGBT

功能描述

IGBT Press Packs
PRESS PACK IGBT

封装外壳

TO-200AF

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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P2000DL45X168规格书详情

特性 Features


优势:
• Full long term short-on-fail
• Explosion proofed housing
• Highest power cycling capability
• Double side cooling
• Wide range of clamping force

简介

P2000DL45X168属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的P2000DL45X168晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    P2000DL45X168HPSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 配置:

    单路

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,2000A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    TO-200AF

  • 供应商器件封装:

    BG-P16826K-1

  • 描述:

    PRESS PACK IGBT

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