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P1B52HP2	文件：352.27 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=525V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
P1B52HP2	文件：191.2 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET	SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD 新电元（上海）电器有限公司

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=525V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

P1B52HP2

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更多P1B52HP2供应商更新时间2024-4-28 15:30:00

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