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R1610I	文件：68.37 Kbytes Page：4 Pages	16-BITRISCMICROCONTROLLER	RDCRDC Semiconductor Co., Ltd. 金丽科技金丽科技股份有限公司	RDC
RN1610	文件：177.77 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNpnEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit AndDriverCircuitApplications ●IncludingtwodevicesinSM6(superminitypewith6leads) ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN2610,RN2611	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RSZ-1610	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
RSZ-1610HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
RT1610	文件：163.93 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTUNINGFORKCRYSTAL	RALTRONRaltron Electronics Corporation 拉隆	RALTRON
RTF1610	文件：327.94 Kbytes Page：1 Pages	TuningForkCrystal\|MobileCommunications ProductFeatures •Compact,lowprofile(1.6x1.0x0.5mm)andlightweightSMDtuningforkcrystalresonator. •Ceramicpackageandmetallidassuresextremeaccuracyandhigh−reliabilitythroughutilisingelectronbeamsealingmethod. •Applications:Microprocessors,MobileCommunications,D	RAKON Rakon Limited	RAKON
RUR-D1610	文件：75.95 Kbytes Page：2 Pages	DUAL16-A,HIGH-SPEED,HIGHEFFICIENCYEPITAXIALSILICONRECTIFIERS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
S1610NH	文件：61.09 Kbytes Page：5 Pages	TheS16xxxHseriesofSCRsusesahighperformanceMESAGLASSPNPNtechnology. DESCRIPTION TheS16xxxHseriesofSCRsusesahighperformanceMESAGLASSPNPNtechnology.Thesepartsareintendedforgeneralpurposeapplications. FEATURES IT(RMS)=16A VDRM=200Vto800V Highsurgecurrentcapability	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SCT-1610	文件：470.92 Kbytes Page：2 Pages	PCMCIATRANSFORMER PCMCIATRANSFORMER Suitableformodemspeedsupto:56Kbps	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
SEL1610	文件：41.57 Kbytes Page：1 Pages	Ultra-highintensityLEDs	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken

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技术参数

Package：
TO-252
Configuration：
Single
Type：
N
ESD Diode：
No
Schottky Diode：
No
VDS (V)：
110
VGS (±V)：
20
ID (A)：
45
RDS(ON)mΩmax at 10V：
16
RDS(ON)mΩmax at 4.5V：
/
RDS(ON)mΩmax at 2.5V：
/
RDS(ON)mΩmax at 1.8V：
/
VGS(th) max：
4
Typical Ciss(pF)：
3017
Typical Coss(pF)：
255
Typical Crss(pF)：
152
Typical Qg(nC)：
58
Typical Qgd(nC)：
21.5

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