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12NM50	文件：544.65 Kbytes Page：17 Pages	N-channel550V@tjmax-0.30廓-12ATO-220/FP/D2/I2PAKMDmesh??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
12NM50ND	文件：1.039369 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
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P12NM50FP	文件：115.55 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL500V-0.3W-12ATO-220/TO-220FP/IPAKMDmesh]PowerMOSFET Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryMOSFETtechnologythatassociatestheMultipleDrainprocesswiththeCompany’sPowerMESH™horizontallayout.Theresultingproducthasanoutstandinglowon-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.Theadoptionof	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
P12NM50FP	文件：1.02252 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
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STB12NM50	文件：649.82 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247FDmesh??PowerMOSFETwithFASTDIODE Description TheFDmesh™associatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybodydiode.Itisthereforestronglyrecommendedforbridgetopologies,inparticularZVSphase-shiftconverters. Generalfeatures ■100avalanchetested ■Highdv/dta	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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STB12NM50	文件：544.65 Kbytes Page：17 Pages	N-channel550V@tjmax-0.30廓-12ATO-220/FP/D2/I2PAKMDmesh??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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STB12NM50FD	文件：649.82 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247FDmesh??PowerMOSFETwithFASTDIODE Description TheFDmesh™associatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybodydiode.Itisthereforestronglyrecommendedforbridgetopologies,inparticularZVSphase-shiftconverters. Generalfeatures ■100avalanchetested ■Highdv/dta	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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STB12NM50N	文件：510.43 Kbytes Page：18 Pages	N-channel500V-0.29廓-11A-TO-220/FP-D2PAK-DPAKSecondgenerationMDmesh??PowerMOSFET Description ThisseriesofdevicesisrealizedwiththesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemos	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STB12NM50N	文件：1.04006 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
STB12NM50ND	文件：313.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STB12NM50ND	文件：1.04005 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市东来宝电子科技有限公司	P12NM50FP其他被动元件	ST/意法	22+	TO-200F	46157	郑重承诺只做原装进口货	询价
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更多P12NM50FP其他被动元件供应商更新时间2024-4-27 8:50:00

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