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P1160VTF	文件：176.37 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel High Voltage Mode Field Effect Transistor 文件：176.37 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
P1160ZD	文件：818.59 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel High Voltage Mode MOSFET 文件：818.59 Kbytes 页数：8 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P1160ZT	文件：794.85 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：794.85 Kbytes 页数：8 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P1160ZTF	文件：850.5 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel High Voltage Mode MOSFET 文件：850.5 Kbytes 页数：9 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P1160ZTFS	文件：850.5 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel High Voltage Mode MOSFET 文件：850.5 Kbytes 页数：9 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P1165	文件：128.509 Kbytes Page：7 Pages	LOW PROFILE LINE MATCHING TRANSFORMER 文件：128.509 Kbytes 页数：7 Pages	ETAL	ETAL
P1166	文件：213.18 Kbytes Page：2 Pages	SMT POWER INDUCTORS 文件：213.18 Kbytes 页数：2 Pages	pulse	pulse
P1166	文件：227.13 Kbytes Page：2 Pages	SMT POWER INDUCTORS 文件：227.13 Kbytes 页数：2 Pages	pulse	pulse
P1166	文件：320.24 Kbytes Page：4 Pages	SMT POWER INDUCTORS Shielded Drum Core 文件：320.24 Kbytes 页数：4 Pages	pulse	pulse
P1166	文件：245.79 Kbytes Page：2 Pages	Shielded Drum Core 文件：245.79 Kbytes 页数：2 Pages	pulse	pulse

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技术参数

Inductance (uH)：
1
Footprint Area (LxW) (mm2)：
57
Mounting：
SMT
DCR (mOhms)：
6.2
Construction：
Drum Core Inductors
Length (mm)：
7.54
Height (mm)：
3.51
Width (mm)：
7.54
Automotive (Y/N)：
No
Rated Current (Adc)：
4.9
Saturation Current (Apk)：
5.2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多P116供应商更新时间2025-12-23 16:12:00

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