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P1103BVG	文件：235.01 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：235.01 Kbytes 页数：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
P1103BVG	文件：318.64 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：318.64 Kbytes 页数：5 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
P1103BVG	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Unikc 旭康微	Unikc
PA1103NL	文件：279.97 Kbytes Page：6 Pages	HIGH FREQUENCY WIRE WOUND TRANSFORMERS EFD20 Platforms - SMT 文件：279.97 Kbytes 页数：6 Pages	PULSE	PULSE
PCP1103	文件：259.74 Kbytes Page：4 Pages	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor DC / DC Converter Applications PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Adoption of MBIT process. • High current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High speed switching. • High allowable power dissipation. • Halogen free compliance. Applications • DC / DC converters, relay drivers, 文件：259.74 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
PCP1103	文件：86.26 Kbytes Page：5 Pages	Bipolar Transistor Bipolar Transistor –30V, –1.5A, Low VCE(sat) PNP Single PCP Features • Adoption of MBIT process • Large current capacity • Low collector to emitter saturation voltage • High speed switching • High allowable power dissipation • Halogen free compliance Applications • DC / DC converters, 文件：86.26 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Configuration：
Single
Type：
N
Vds(±V)：
30
Vgs(±V)：
20
RDS(on)(mΩmax)at VGS=10V：
11
RDS(on)(mΩmax)at VGS=4.5V：
16.5
VGS(th)(max V)：
2.5
Ciss(pF)：
1800
Crss(pF)：
125
Qg(nC)：
26
Qgd(nC)：
6.5

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