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P10F60HP2	文件：323.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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P10F60HP2

文件：323.37 Kbytes

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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Power MOSFET

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

SHINDENGEN

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	P10F60HP2	SHINDENGE	25+	TO-TO-220F	35628	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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更多P10F60HP2供应商更新时间2025-5-28 10:04:00

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