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P1004HV

Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

文件:1.00429 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P1005

High Precision Wraparound - Wide Ohmic Value Range Thin Film Chip Resistors, Sulfur Resistant

文件:131.61 Kbytes 页数:10 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

P1006BD

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:352.57 Kbytes 页数:4 Pages

NIKOSEM

尼克森

P1006BD

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:737.56 Kbytes 页数:8 Pages

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

P1006BI

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:777 Kbytes 页数:8 Pages

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

P1006BI

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:351.8 Kbytes 页数:4 Pages

NIKOSEM

尼克森

P1006BI

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:976.79 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

P1006BIS

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:712.95 Kbytes 页数:8 Pages

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

P1006BK

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:435.25 Kbytes 页数:5 Pages

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

P1006BK

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:232.76 Kbytes 页数:4 Pages

NIKOSEM

尼克森

技术参数

  • Package:

    D8x7.5

  • VRRM:

    50 V

  • IFAV:

    10.00 A

  • Tjmax:

    175 °C

  • VF:

    1.05 V

  • IF:

    10.00 A

  • IFSM:

    400.00 A

  • IR:

    10.000 µA

  • Cj:

    pF

  • VR:

    V

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更多P10供应商 更新时间2026-2-4 8:31:00