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P0640SB	文件：3.39657 Mbytes Page：6 Pages	Marking：P06B；Package：DO-214AA；Thyristor Surge Suppressors (TSS) FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
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P0640SB	文件：324.07 Kbytes Page：6 Pages	Marking：P06B；Package：DO-214AA；Thyristor Surge Suppressors	HUAXINANHuaXinAn Electronics CO.,LTD 华兴安深圳市华兴安电子有限公司	HUAXINAN
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P0640SB-2L	文件：2.73024 Mbytes Page：6 Pages	Marking：P06B-2；Package：SMB-3L；Thyristor Surge Suppressors (TSS) FeaturesandBenefits Excellentcapabilityofabsorbingtransientsurge Quickresponsetosurgevoltage(nsLevel) Eliminatesovervoltagecausedbyfastrisingtransients Moisturesensitivitylevel:Level1 Weight69mg(approximate) Nondegenerative ResponseTimeis	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI

详细参数

型号：
P06B
功能描述：
Dual P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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