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TP0610TG	文件：1.52693 Mbytes Page：14 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TP0610T-G	文件：656.7 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeVerticalDMOSFETs GeneralDescription Thislowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinpu	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TZ0610A	文件：217.3 Kbytes Page：5 Pages	SMD5.0x3.218MHzCrystalUnit Features: SurfaceMountSeamWeldPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature DescriptionandApplications: Surfacemount5.0mmx3.2mmcrystalunitforuseinwirelesstelecommunicationsdevices, especiallyforaneedofultraminiatu	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
URF0610	文件：180.42 Kbytes Page：2 Pages	SwitchmodeFullPlasticDualUltrafastPowerRectifiers …Designedforuseinswitchingpowersupplies.invertersandasfreewheelingdiodes.Thesestate-of-the-artdeviceshavethefollowingfeatures: ＊HighSurgeCapacity ＊LowPowerLoss,Highefficiency ＊GlassPassivatedchipjunctions ＊150℃OperatingJunctionTemperature ＊LowStoredCharge	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
VN0610	文件：24.51 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeMOSTransistors FEATURES •LowrDS(on) APPLICATIONS •Switching •Amplification	Calogic Calogic, LLC	Calogic
VN0610	文件：202.12 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeMOSTransistors Features ●ZenerDiodeInputProtected ●LowOn-Resistance:3Ω ●UltralowThreshold:1.2V ●LowInputCapacitance:38pF ●LowInputandOutputLeakage Benefits ●ExtraESDProtection ●LowOffsetVoltage ●Low-VoltageOperation ●High-Speed,EasilyDriven ●LowErrorVoltage Appli	Temic TEMIC Semiconductors	Temic
VN0610	文件：112.23 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeMOSTransistors	Temic TEMIC Semiconductors	Temic
VN0610L	文件：63.78 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFETswithZenerGate	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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