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SMK0460I	文件：443.1 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS Features HighVoltage:BVDSS=600V(Min.) LowCrss:Crss=9.8pF(Typ.) Lowgatecharge:Qg=12nC(Typ.) LowRDS(on):RDS(on)=2.5Ω(Max.)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SMK0460IS	文件：348.82 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET SWITCHINGREGULATORAPPLICATION Features Drain-Sourcebreakdownvoltage:BVDSS=600V(Min.) Lowgatecharge:Qg=12nC(Typ.) Lowdrain-sourceOnresistance:RDS(on)=2.1Ω(Typ.) 100avalanchetested RoHScompliantdevice	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SMK0460IS	文件：1.99662 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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SMK0460P	文件：424.96 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGREGULATORAPPLICATIONS	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
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