开关稳压器

• High Voltage: BVDSS=600V(Min.)\r\n• Low Crss : Crss=7.5pF(Typ.)\r\n• Low gate charge : Qg=16nC(Typ.)\r\n• Low RDS(on) :RDS(on)=2.5Ω(Max.);

Kodenshi-AUK

Advanced Power MOSFET

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Advanced Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特