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VN0106	文件：476.38 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN0106	文件：640.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET GeneralDescription Thisenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicongatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehighinputimpedanceandpos	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN0106ND	文件：68.09 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelEnhancement-Mode N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
VN0106NE	文件：38.06 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETsQuadArray? N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETsQuadArray	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VP0106	文件：759.88 Kbytes Page：14 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET GeneralDescription TheVP0106low-thresholdEnhancement-mode (normally-off)transistorsuseaverticalDMOSstructure andawell-provensilicon-gatemanufacturingprocess. Thiscombinationproducesadevicewiththepower handlingcapabilitiesofbipolartransistorsandthehigh inputimped	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
VP0106	文件：46.74 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VP0106	文件：659.86 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VP0106ND	文件：90.22 Kbytes Page：1 Pages	P-ChannelEnhancement-Mode P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
XF0106A-HO	文件：67.38 Kbytes Page：1 Pages	INDUCTOR	XFMRS XFMRS，Inc.	XFMRS
XF0106C	文件：28.2 Kbytes Page：1 Pages	HIGHQUALITYNETWORKINGTRANSFORMERS	XFMRS XFMRS，Inc.	XFMRS

详细参数

型号：
P0106T
制造商：
Pulse
功能描述：
IND PWR 15UH 20% 800MA - Tape and Reel
制造商：
Pulse Electronics Corporation
功能描述：
Ind Power Wirewound 17.3uH/69.1uH 20% 800mA/400mA T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科恒伟业电子有限公司	P0107	PULSE	2016+	SOP6P	6523	只做原装正品现货!或订货!	询价
深圳市威雅利发展有限公司	P0107	PULSE	2000	SOP6P	5059	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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易创佳业科技（深圳）有限公司	P010739	HOSIDEN	23+	NA	9980	原装正品，支持实单	询价
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更多P0106T供应商更新时间2025-7-25 18:34:00

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