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HCS374K	文件：571.42 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCS374K/SAMPLE	文件：550.98 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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HCS374KMSR	文件：175.06 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.TheHCS374MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnology.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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HCS374MS	文件：175.06 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.TheHCS374MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnology.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCS374MS	文件：550.98 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCT374	文件：1.34555 Mbytes Page：21 Pages	OCTALEDGE-TRIGGEREDD-TYPEFLIP-FLOPS	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
HCT-374	文件：4.15399 Mbytes Page：2 Pages	HighCurrentToroidalInductors	API API Delevan Inc.	API
HCTR-374	文件：4.15399 Mbytes Page：2 Pages	HighCurrentToroidalInductors	API API Delevan Inc.	API
HCTS374D	文件：183.82 Kbytes Page：11 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCTS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock(CP).Dataisalsotransferredtotheoutputsduri	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS374D	文件：548.37 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCTS374DMSR	文件：548.37 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCTS374DMSR	文件：183.82 Kbytes Page：11 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCTS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock(CP).Dataisalsotransferredtotheoutputsduri	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS374DTR	文件：96.29 Kbytes Page：3 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Intersil’sSatelliteApplicationsFlowTM(SAF)devicesarefullytestedandguaranteedto100kRADtotaldose.TheseQMLClassTdevicesareprocessedtoastandardflowintendedtomeetthecostandshorterlead-time	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS374HMSR	文件：183.82 Kbytes Page：11 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCTS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock(CP).Dataisalsotransferredtotheoutputsduri	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS374HMSR	文件：548.37 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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产品属性

产品编号：
OT374,118
制造商：
WeEn Semiconductors
类别：
分立半导体产品 > 晶闸管 - TRIAC
包装：
管件
双向可控硅类型：
标准
配置：
单路
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRIAC DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿国际（香港）有限公司	OT374,118	WeEn(瑞能)	2112+	SOT428	115000	2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
深圳市易讯博科技有限公司	OT374,118	NXP	22+	NA	45000	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	OT374,118	WeEn Semiconductors	2022+	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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深圳市百视威讯电子科技有限公司	OT374,118		23+	N/A	54000	一级代理放心采购	询价
深圳市仟禧电子有限公司	OT374MOS(场效应管)	PHILIPS/飞利浦	22+	SOT252	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
深圳市弘为电子有限公司	OT380	OTI	16+	TQFP	7860	原装现货假一罚十	询价
深圳市维尔达电子有限公司	OT380	PHILIPS	2023+		80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
深圳市安罗世纪电子有限公司	OT380	PHILIPS	2023+	SMD	8000	安罗世纪电子只做原装正品货	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	OT380,116	NXP USA Inc.	24+	TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价

更多OT374供应商更新时间2024-5-31 15:00:00

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