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OPA859IDSGR	文件：2.40532 Mbytes Page：35 Pages	1.8 GHz Unity-Gain Bandwidth, 3.3-nV/?숰z, FET Input Amplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
859	文件：110.74 Kbytes Page：2 Pages	1.3WattsAxialLeadedZenerDiodes VOLTAGERANGE:2.4-200VPOWER:1.3Watts Features ●CompleteVoltageRange2.4to200Volts ●Highpeakreversepowerdissipation ●Highreliability ●Lowleakagecurrent	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司
A-859	文件：126.58 Kbytes Page：2 Pages	Avikrimp??SnapPlug,for18-22AWGWire,Box,24.31mm(.957)Length	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司
A-859T	文件：126.26 Kbytes Page：2 Pages	Avikrimp??SnapPlug,for18-22AWGWire,MylarTape,24.31mm(.957)Length	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司
ADG859	文件：278.84 Kbytes Page：16 Pages	1.3ohmCMOS,1.8Vto5.5VSingleSPDTSwitch/2:1MUXinSOT-66Package GENERALDESCRIPTION TheADG859isamonolithic,CMOSSPDT(singlepole,doublethrow)switchthatoperateswithasupplyrangeof1.8Vto5.5V.Itisdesignedtoofferlowonresistanceof2.3Ωmaximumovertheentiretemperaturerangeof−40°Cto+125°C.TheADG859alsohasthecapabilityof	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG859BRYZ-REEL	文件：278.84 Kbytes Page：16 Pages	1.3ohmCMOS,1.8Vto5.5VSingleSPDTSwitch/2:1MUXinSOT-66Package GENERALDESCRIPTION TheADG859isamonolithic,CMOSSPDT(singlepole,doublethrow)switchthatoperateswithasupplyrangeof1.8Vto5.5V.Itisdesignedtoofferlowonresistanceof2.3Ωmaximumovertheentiretemperaturerangeof−40°Cto+125°C.TheADG859alsohasthecapabilityof	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG859YRYZ-REEL	文件：278.84 Kbytes Page：16 Pages	1.3ohmCMOS,1.8Vto5.5VSingleSPDTSwitch/2:1MUXinSOT-66Package GENERALDESCRIPTION TheADG859isamonolithic,CMOSSPDT(singlepole,doublethrow)switchthatoperateswithasupplyrangeof1.8Vto5.5V.Itisdesignedtoofferlowonresistanceof2.3Ωmaximumovertheentiretemperaturerangeof−40°Cto+125°C.TheADG859alsohasthecapabilityof	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ANT-859-DBD-DA/W	文件：197.74 Kbytes Page：1 Pages	Uniquedual-bandconfiguration.	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
ANT859DBDDAW	文件：197.74 Kbytes Page：1 Pages	DUALBANDANTENNAS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
BC859	文件：101.5 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC859	文件：145.7 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC859	文件：145.66 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克
BC859	文件：1.35462 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
BC859	文件：1.19227 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
BC859	文件：898.7 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Highcurrentgain,Lowcollector-emittersaturationvoltage. Applications Generalpoweramplifierapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
BC859	文件：75.02 Kbytes Page：2 Pages	Lowcurrent Features ●Lowcurrent(max.100mA). ●Lowvoltage(max.45V).	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
BC859	文件：522.78 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
BC859	文件：355.55 Kbytes Page：9 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
BC859	文件：540.59 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
BC859	文件：179.58 Kbytes Page：8 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V •Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirements.	FS First Silicon Co., Ltd

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更多OPA859IDSGR供应商更新时间2024-4-26 12:00:00

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